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Hideo Ohno

1986–2026 年に発表

120
論文数
50,365
被引用数
71
h 指数
105
i10 指数

被引用数

Hideo Ohno の年別被引用数1985 年: 被引用 3 件1990 年: 被引用 2 件1992 年: 被引用 1 件1994 年: 被引用 1 件1996 年: 被引用 2 件1997 年: 被引用 3 件1998 年: 被引用 12 件1999 年: 被引用 23 件2000 年: 被引用 26 件2001 年: 被引用 78 件2002 年: 被引用 105 件2003 年: 被引用 110 件2004 年: 被引用 88 件2005 年: 被引用 99 件2006 年: 被引用 106 件2007 年: 被引用 89 件2008 年: 被引用 95 件2009 年: 被引用 94 件2010 年: 被引用 154 件2011 年: 被引用 148 件2012 年: 被引用 170 件2013 年: 被引用 143 件2014 年: 被引用 249 件2015 年: 被引用 222 件2016 年: 被引用 335 件2017 年: 被引用 290 件2018 年: 被引用 252 件2019 年: 被引用 249 件2020 年: 被引用 390 件2021 年: 被引用 296 件2022 年: 被引用 262 件2023 年: 被引用 228 件2024 年: 被引用 286 件2025 年: 被引用 212 件2026 年: 被引用 41 件1986〜1989 年は被引用が無いため表示していません1991 年は被引用が無いため表示していません1993 年は被引用が無いため表示していません1995 年は被引用が無いため表示していません

引用元

国・地域

この著者を引用した国・地域の世界地図アメリカ合衆国: 引用元論文 1,088 件、この内訳の 25.8%中国: 引用元論文 538 件、この内訳の 12.8%日本: 引用元論文 499 件、この内訳の 11.8%フランス: 引用元論文 256 件、この内訳の 6.1%ドイツ: 引用元論文 219 件、この内訳の 5.2%イギリス: 引用元論文 175 件、この内訳の 4.2%韓国: 引用元論文 170 件、この内訳の 4%インド: 引用元論文 119 件、この内訳の 2.8%シンガポール: 引用元論文 118 件、この内訳の 2.8%イタリア: 引用元論文 86 件、この内訳の 2%スペイン: 引用元論文 65 件、この内訳の 1.6%オランダ: 引用元論文 63 件、この内訳の 1.5%
0%25.8%その他 19.4%

機関

分野

  • Engineering34%
  • Physics and Astronomy28.9%
  • Materials Science18.2%
  • Computer Science15.1%
  • Biochemistry, Genetics and Molecular Biology1.4%
  • Dentistry1.2%
  • その他1.2%

トピック

  • Advanced Memory and Neural Computing13.6%
  • Magnetic properties of thin films10.3%
  • Ferroelectric and Negative Capacitance Devices8.5%
  • ZnO doping and properties5%
  • Quantum and electron transport phenomena3.9%
  • Semiconductor materials and devices3.8%
  • その他54.9%

共著者

全論文

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  1. Integer factorization using stochastic magnetic tunnel junctions

    著者: William A. Borders, Ahmed Zeeshan Pervaiz, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Çamsarı, Hideo Ohno, Supriyo Datta - Nature, Nat. 2019 被引用: 628

  2. A perpendicular-anisotropy CoFeB–MgO magnetic tunnel junction

    著者: Shoji Ikeda, K. Miura, Hirotsugu Yamamoto, K. Mizunuma, Huadong Gan, Masaki Endo, Shun Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, Hideo Ohno - Nature Materials 2010 被引用: 3,576

  3. Hardware-Aware In Situ Learning Based on Stochastic Magnetic Tunnel Junctions

    著者: J.H. Kaiser, William A. Borders, Kerem Y. Çamsarı, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Supriyo Datta - Physical Review Applied 2022 被引用: 95

  4. Spintronics based random access memory: a review

    著者: Sabpreet Bhatti, R. Sbiaa, Atsufumi Hirohata, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, S. N. Piramanayagam - Materials Today 2017 被引用: 1,127

  5. CMOS plus stochastic nanomagnets enabling heterogeneous computers for probabilistic inference and learning

    著者: Nihal Singh, K. Kobayashi, Qixuan Cao, Kemal Selçuk, Tianrui Hu, Shaila Niazi, Navid Anjum Aadit, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Çamsarı - Nature Communications 2024 被引用: 75

  6. Tunnel magnetoresistance of 604% at 300K by suppression of Ta diffusion in CoFeB∕MgO∕CoFeB pseudo-spin-valves annealed at high temperature

    著者: Shoji Ikeda, Jun Hayakawa, Yoshito Ashizawa, Y. M. Lee, K. Miura, H. Hasegawa, Masakiyo Tsunoda, F. Matsukura, Hideo Ohno - Applied Physics Letters 2008 被引用: 1,546

  7. Magnetization switching by spin-orbit torque in an antiferromagnet/ferromagnet bilayer system

    著者: Shunsuke Fukami, Chaoliang Zhang, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, Hideo Ohno - Nature Materials 2016 被引用: 1,029

  8. Dual-Port SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations Under Field-Assistance-Free Condition

    著者: Masanori Natsui, Akira Tamakoshi, Hiroaki Honjo, Toshinari Watanabe, Takashi Nasuno, Chaoliang Zhang, Takaho Tanigawa, Hirofumi Inoue, Masaaki Niwa, Toru Yoshiduka, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Yitao Ma, Hui Shen, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu - IEEE Journal of Solid-State Circuits, IEEE J. Solid State Circuits 2020 被引用: 64

  9. A 47.14-µW 200-MHz MOS/MTJ-Hybrid Nonvolatile Microcontroller Unit Embedding STT-MRAM and FPGA for IoT Applications

    著者: Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, Hiroaki Honjo, Hiroki Koike, Takashi Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu - IEEE Journal of Solid-State Circuits, IEEE J. Solid State Circuits 2019 被引用: 62

  10. Experimental evaluation of simulated quantum annealing with MTJ-augmented p-bits

    著者: Andrea Grimaldi, Kemal Selçuk, Navid Anjum Aadit, K. Kobayashi, Qixuan Cao, Shuvro Chowdhury, Giovanni Finocchio, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Çamsarı - International Electron Devices Meeting (IEDM) 2022 被引用: 32

  11. Neuromorphic computing with antiferromagnetic spintronics

    著者: A. Kurenkov, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno - Journal of Applied Physics 2020 被引用: 91

  12. Current-induced torques in magnetic materials

    著者: Arne Brataas, Andrew D. Kent, Hideo Ohno - Nature Materials 2012 被引用: 1,216

  13. A spin–orbit torque switching scheme with collinear magnetic easy axis and current configuration

    著者: Shunsuke Fukami, Tetsuro Anekawa, C. Zhang, Hideo Ohno - Nature Nanotechnology 2016 被引用: 677

  14. Magnetic Tunnel Junctions for Spintronic Memories and Beyond

    著者: Shoji Ikeda, Jun Hayakawa, Young Min Lee, F. Matsukura, Y. Ohno, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno - IEEE Transactions on Electron Devices 2007 被引用: 523

  15. Relapse Prevention by Plant-Based Diet Incorporated into Induction Therapy for Ulcerative Colitis: A Single-Group Trial

    著者: Mitsuro Chiba, Kunio Nakane, Tsuyotoshi Tsuji, Satoko Tsuda, Hajime Ishii, Hideo Ohno, Kenta Watanabe, Yu Obara, Masafumi Komatsu, Takeshi Sugawara - The Permanente Journal 2019 被引用: 54

  16. Artificial Neuron and Synapse Realized in an Antiferromagnet/Ferromagnet Heterostructure Using Dynamics of Spin–Orbit Torque Switching

    著者: A. Kurenkov, Samik DuttaGupta, Chaoliang Zhang, Shunsuke Fukami, Yoshihiko Horio, Hideo Ohno - Advanced Materials 2019 被引用: 191

  17. Analogue spin–orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation

    著者: William A. Borders, Hisanao Akima, Shunsuke Fukami, Satoshi Moriya, Shouta Kurihara, Yoshihiko Horio, Shigeo Sato, Hideo Ohno - Applied Physics Express 2016 被引用: 191

  18. An Overview of Nonvolatile Emerging Memories - Spintronics for Working Memories

    著者: Tetsuo Endoh, Hiroki Koike, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno - IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems, IEEE J. Emerg. Sel. Topics Circuits Syst. 2016 被引用: 160

  19. Standby-Power-Free Integrated Circuits Using MTJ-Based VLSI Computing

    著者: Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Daisuke Suzuki, Hiroki Koike, Yitao Ma, Naoya Onizawa, Masanori Natsui, Shoji Ikeda, Hideo Ohno - IEEE, Proc. IEEE 2016 被引用: 135

  20. Theory of relaxation time of stochastic nanomagnets

    著者: Shun Kanai, Keisuke Hayakawa, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami - Physical review. B./Physical review. B 2021 被引用: 57

  21. Spin-transfer torque RAM technology: Review and prospect

    著者: Takayuki Kawahara, Kenchi Ito, Riichiro Takemura, Hideo Ohno - Microelectronics Reliability, Microelectron. Reliab. 2011 被引用: 322

  22. Single-Shot Time-Resolved Measurements of Nanosecond-Scale Spin-Transfer Induced Switching: Stochastic Versus Deterministic Aspects

    著者: T. Devolder, J. Hayakawa, Keita Ito, Hiromasa Takahashi, Shoji Ikeda, P. Crozat, N. Zerounian, Joo-Von Kim, C. Chappert, Hideo Ohno - Physical Review Letters 2008 被引用: 254

  23. An FPGA-Accelerated Fully Nonvolatile Microcontroller Unit for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology Achieving 47.14μW Operation at 200MHz

    著者: Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, H. Honjo, Hiroki Koike, T. Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Y. Noguchi, M. Yasuhira, H. Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu - IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC) 2019 被引用: 23

  24. Hardware Demonstration of Feedforward Stochastic Neural Networks with Fast MTJ-based p-bits

    著者: Nihal Sanjay Singh, Shaila Niazi, Shuvro Chowdhury, Kemal Selçuk, Haruna Kaneko, K. Kobayashi, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Çamsarı - International Electron Devices Meeting (IEDM) 2023 被引用: 16